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      漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

      550

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      120

      导通（tōng）电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      140

      最（zuì）大漏极电流Id(on)(A)：

      25

      通道极性：

      N沟道

      封装/温度(℃)：

      TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

      描述（shù）：

      550V,140mΩ,25A,N沟（gōu）道基于超级结（jié）技术的功率MOSFET



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